全球三大存储芯片制造商——三星电子（005930 KS）、SK 海力士（000660 KS）和美光（MU）——市值全部突破1万亿美元，引发市场对其估值可持续性的关注。晨星（Morningstar）近期发文提醒投资者警惕存储行业的历史周期性风险，质疑当前涨势是否脱离基本面。
对此，DRAM ETF发行方Roundhill Investments撰文回应，认为AI基础设施的爆发正在重塑存储行业的供需结构，传统“繁荣-萧条”周期已不再适用。
文章指出，过去存储需求主要依赖消费电子换代（如Windows 95或iPhone存储升级），导致厂商盲目扩产、价格崩盘。而如今，需求核心转向AI数据中心对高带宽内存（HBM）的刚性需求。HBM制造工艺极其复杂，需依赖ASML的极紫外光刻机（EUV），设备交付周期超12个月，新建晶圆厂需3至5年，形成天然技术壁垒。
数据显示，SK海力士、三星和美光合计占据全球HBM市场近100%份额。SK海力士控制约58%的产能，并警告供给短缺将持续至2030年。同时，超大规模客户（hyperscalers）正积极签订具有“强互惠承诺”的长期供应协议，以锁定关键带宽资源，这在历史上极为罕见。
基本面方面，彭博一致预期显示，到2027年，三家公司合计净利润将达到7040亿美元，总营收超1万亿美元，有望跻身全球最赚钱企业前十。
其营业毛利率已超越2018年高点，创下历史新高。即便未来增长放缓，在生成式AI深度融入经济的背景下，行业盈利基线也将远高于历史水平。
估值层面，尽管股价大幅上涨，DRAM ETF持仓的中位NTM市盈率仅为8.37倍，而当前财年中位每股盈利（EPS）增速高达632%。Roundhill认为，用传统周期性估值框架衡量当前存储股已不合时宜，市场正在对一个“新盈利时代”进行合理重估。
Roundhill总结称，当前存储股的上涨并非动量驱动的泡沫，而是由AI基建带来的结构性盈利提升所支撑。制造壁垒、长期协议与持续短缺共同构筑了新的行业护城河，标志着存储芯片行业正式迈入高利润、低波动的新阶段。
⚠️ 编辑注：本文作者Dave Mazza和Thomas DiFazio均为Roundhill Investments成员，该公司发行并管理DRAM ETF（Roundhill Memory ETF）。文章立场天然偏多，读者应结合晨星等第三方观点综合判断。